CMOS电路

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基本单元电路反相器由N沟道和P沟道 MOS场效应晶体管对管(见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路和N沟道金属-氧化物-半导体集成电路)构成,以推挽形式工作,能实现一定逻辑功能的集成电路,简称CMOS。单元电路如图1。CMOS电路的特点是:①静态功耗低,每门功耗为纳瓦级;②逻辑摆幅大,近似等于电源电压;③抗干扰能力强,直流噪声容限达逻辑摆幅的35%左右;④可在较广泛的电源电压范围内工作,便于与其他电路接口;⑤速度快,门延迟时间达纳秒级;⑥在模拟电路中应用,其性能比NMOS电路好;⑦与NMOS电路相比,集成度稍低;⑧有“自锁效应”,影响电路正常工作。

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CMOS电路正文

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1、组成结构
CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字头缩写,它由绝缘场效应晶体管组成,由于只有一种载流子,因而是一种单极型晶体管集成电路,其基本结构是一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管,如图1所示。
由于两管栅极工作电压极性相反,故将两管栅极相连作为输入端,两个漏极相连作为输出端,如图1(a)所示,则两管正好互为负载,处于互补工作状态。
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当输入低电平(Vi=Vss)时,PMOS管导通,NMOS管截止,输出高电平,如图1(b)所示。 ·
当输入高电平(Vi=VDD)时,PMOS管截止,NMOS管导通,输出为低电平,如图1(c)所示。
两管如单刀双掷开关一样交替工作,构成反相器